存储芯片行业分析（存储芯片现状）
存储芯片行业发展前景预测
1、行业发展驱动因素分析
近年来，消费类芯片供过于求的情况日益凸显，作为半导体行业“大宗商品”的存储芯片价格也出现明显下降和波动。然而，在各种应用设备和系统中几乎无处不在的存储芯片（主要是DRAM和NAND Flash）并不像大多数纯粹的消费类芯片那样对单一或几类应用有特别高的依赖性。存储芯片在品类、高性能计算、汽车、工业等领域都不可或缺，因此其发展前景依然乐观。这也是为什么近年来三大存储芯片巨头一直稳居全球半导体厂商前五的原因。原因。
2、行业发展前景预测
存储芯片是最考验一个国家半导体产业基本功的品类。半个世纪前，英特尔从记忆开始。只有奠定了相应的设计和制造基础之后，才能够转变为CPU。日本也是如此。 20世纪80年代鼎盛时期，全球营收排名前10的半导体厂商中有6家日本企业，且大多擅长存储芯片的研发和生产。对于韩国来说尤其如此。作为后起之秀，三星凭借在存储芯片领域的投入和策略，一举超越了日本厂商。韩国与SK 海力士一起占据了当今全球存储芯片市场的一半。
而且，无论从历史还是现实来看，具有行业影响力的存储芯片厂商大多都是IDM模式，晶圆代工厂的存储芯片业务市场份额很小。这一特点似乎更符合中国集中力量办大事的国情，使我们在发展存储芯片方面具有先天优势。相信在本土三大存储芯片IDM的带领下，中国DRAM和NAND Flash产业能够稳步发展，不断总结经验和教训，将工艺技术、产能和良率推向新高。
存储芯片行业发展趋势分析
1、行业市场发展趋势分析
1、存储芯片迎来黄金发展期
全球存储器和闪存产品在国际竞争市场上基本被韩国、日本、美国等国家垄断。在DRAM领域，三星、海力士和美光是行业领先者。在NAND领域，三星、东芝、新帝、海力士、美光和英特尔共同掌控全球话语权。
目前，我国已初步完成在存储芯片领域的战略布局。但由于我国起步较晚、技术封锁，其市场份额较小，在完全国产替代之前还有很大的发展空间。存储芯片良好的发展态势将为我国该领域的发展提供持续的需求保障。
2、IP创新与自主制造
对于存储芯片来说，由于存储芯片制造工艺的难点在于IP和制造，所以领先厂商的主流商业模式是IDM模式。由于欧洲、美国、日本和韩国对中国半导体产业的限制，中国获得IP的主要方式是通过合作授权和自主研发。组合方法。
由于中国厂商在DRAM领域普遍起步较晚，专利积累相对薄弱。但由于DRAM技术发展普遍较为成熟，国际领先企业减少了研发资金投入，这为中国厂商继续加大资金投入、实现国产替代提供了良好机会。在此基础上，中国厂商正在加速IP自主研发，在提升产品性能的同时降低成本，从而在议价能力和定价灵活性方面达到国际领先水平。
在NAND Flash IP方面，3D NAND Flash堆叠技术是2D平面技术的升级。由于3D堆叠技术是近年来兴起的新技术，中国龙头企业长江存储与国际厂商的技术差距较小。但在IP储备领域，中国厂商仍处于弱势地位，三星、东芝、闪迪、海力士等存储芯片巨头仍拥有压倒性优势。
在半导体产业向中国转移的大趋势下，国际各大厂商纷纷在中国大陆设厂或增加在中国大陆的工厂规模。 SEMI数据显示，过去四年全球已有超过60座晶圆厂投产，其中26座位于中国大陆，占全球晶圆厂的40%以上。
制造是集成电路的核心环节，制造环节向中国大陆迁移直接推动了中国存储芯片产业的发展。随着中国大量晶圆厂的建设，中国存储芯片将迎来先进工艺技术的突破和成熟。
2、行业技术发展趋势分析
3D化是推动NAND闪存发展的主要趋势，DRAM厂商展开纳米级竞争。从主要存储芯片的发展趋势来看，DRAM的技术发展路径是利用微缩工艺来提高存储密度。制程技术进入20nm后，制造难度大幅增加。存储芯片制造商对工艺的定义从特定线宽转变为在特定工艺范围内改进第二代或第三代技术以提高存储密度。例如，1X/1Y/1Z指的是10nm级别的第一代、第二代和第三代技术。目前，市场上应用最广泛的DRAM工艺是2Xnm和1Xnm。三星、美光、海力士等巨头厂商均采用1Znm工艺开发DRAM。
NAND Flash工艺已达到极限。目前，制造商正在采取从2D到3D开发的不同方法，旨在通过增加芯片的堆叠层数来获得更大的存储容量。堆叠层数的增加意味着光刻次数也增加。随着人工智能、AR/VR、物联网等新技术兴起，以及下游消费电子、汽车电子需求旺盛，全球半导体需求有望复苏，带动存储芯片需求上升。
从中国市场来看，以智能手机、电脑等消费电子领域和云计算、大数据等高科技领域为代表的存储芯片应用推动了存储芯片市场需求的增长。此外，中美贸易战期间，美国以多种方式限制高科技产品对华出口。受此影响，中国加大了半导体产业发展力度。国产存储芯片的发展势头更加迅猛，一些企业更换国产存储芯片的意愿更加迫切。
中国政府通过政策引导和产业金融支持，鼓励本土存储芯片企业加强技术研发，缩小与国外企业的差距，实现中国存储芯片的自主研发，加速国产存储芯片替代进口。随着本土存储芯片企业研发实力不断增强，中国有望在五年内提高存储芯片技术水平，提高本土产品自给率。
3、行业企业竞争趋势分析
目前，DRAM芯片的市场格局由三星、SK海力士和美光三家主导。三大巨头的市场份额之和已经超过95%，仅三星一家的市场份额就接近50%。寡头垄断的结构使得中国企业在DRAM芯片上的议价能力非常低，也使得DRAM芯片成为我国最受外部约束的基础产品之一。经过几十年的发展，NAND Flash已经形成了由六大原厂厂商组成的稳定的市场格局：三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔。 2019年以来，中国长江存储等其他厂商也慢慢进入全球视野，但市场份额仍然较低。
从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头主导，细分领域也落后于国外及台湾厂商（如NOR Flash的Macronix/Winbond等）。然而近年来，国内厂商却奋力追赶。在部分领域取得突破，逐步缩小与国外原厂的差距。其中，兆易创新在NOR Flash市场排名前三，巨辰在EEPROM芯片领域市场份额全球第三，长江存储拥有128层3D NAND存储芯片。直接跳过第96层，加速追赶国外厂商先进技术。
值得注意的是，兆易创新集团还包括长鑫存储器（CXMT），这意味着兆易创新集团还掌握着中国NOR Flash和DRAM的自主研发能力，在中国半导体发展中发挥着重要作用。
《2023-2028年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告》由中研普华存储芯片行业分析专家撰写。主要分析了存储芯片行业的市场规模、发展现状和投资前景，同时也提供了对存储芯片行业的见解。我们对存储芯片行业未来发展做出科学的趋势预测和专业的数据分析，帮助客户评估存储芯片行业的投资价值。
